FMM75-01F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMM75-01F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
FMM75-01F Datasheet (PDF)
fmm75-01f.pdf
FMM 75-01FID25 = 75 AHiPerFETTM Power MOSFETVDSS = 100 VPhaseleg Topologyin ISOPLUS i4-PACTMRDSon typ. = 18 m3Preliminary dataT154T2 1125Features MOSFET T1/T2 HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon- low gate charge for high frequencyVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V operation- unclamped inductive
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918