FMM75-01F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FMM75-01F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FMM75-01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM75-01F даташит

 ..1. Size:61K  ixys
 fmm75-01f.pdf pdf_icon

FMM75-01F

FMM 75-01F ID25 = 75 A HiPerFETTM Power MOSFET VDSS = 100 V Phaseleg Topology in ISOPLUS i4-PACTM RDSon typ. = 18 m 3 Preliminary data T1 5 4 T2 1 1 2 5 Features MOSFET T1/T2 HiPerFETTM technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon - low gate charge for high frequency VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V operation - unclamped inductive

Другие IGBT... FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, FMM60-02TF, IRFP260, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S, GMM3x160-0055X2-SMD