FDMC0310AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC0310AS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.4 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 37 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0044 Ohm

Empaquetado / Estuche: MLP3.3X3.3

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FDMC0310AS Datasheet (PDF)

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January 2015FDMC0310ASN-Channel PowerTrench SyncFETTM30 V, 21 A, 4.4 mFeatures General DescriptionThe FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 Apower conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 Apackage technologies have been combined to offer the lowest

9.1. fdmc010n08c.pdf Size:562K _onsemi

www.onsemi.comFDMC010N08CN-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 mFeatures General Description Shielded Gate MOSFET TechnologyThis N-Channel MV MOSFET is produced using ONSemiconductors advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 Aincorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

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Liste

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