FDMC0310AS Todos los transistores

 

FDMC0310AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC0310AS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 37 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0044 Ohm

Empaquetado / Estuche: MLP3.3X3.3

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FDMC0310AS Datasheet (PDF)

1.1. fdmc0310as.pdf Size:411K _fairchild_semi

FDMC0310AS
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January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 mΩ Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest

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