FDMC0310AS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDMC0310AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: MLP3.3X3.3
Аналог (замена) для FDMC0310AS
FDMC0310AS Datasheet (PDF)
fdmc0310as.pdf
January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 m Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest
fdmc010n08c.pdf
www.onsemi.com FDMC010N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 m Features General Description Shielded Gate MOSFET Technology This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 A incorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at
Другие MOSFET... FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , CS150N03A8 , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581



