FDMC0310AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDMC0310AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0044 Ohm
Тип корпуса: MLP3.3X3.3
Аналог (замена) для FDMC0310AS
FDMC0310AS Datasheet (PDF)
1.1. fdmc0310as.pdf 
Size:411K _fairchild_semi
January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 mΩ Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest
Другие MOSFET... FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , IRF5305 , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS .
