FDMC0310AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDMC0310AS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: MLP3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDMC0310AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC0310AS даташит

 ..1. Size:411K  fairchild semi
 fdmc0310as.pdf pdf_icon

FDMC0310AS

January 2015 FDMC0310AS N-Channel PowerTrench SyncFETTM 30 V, 21 A, 4.4 m Features General Description The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in Max rDS(on) = 4.4 m at VGS = 10 V, ID = 19 A power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 5.2 m at VGS = 4.5 V, ID = 17.5 A package technologies have been combined to offer the lowest

 9.1. Size:562K  onsemi
 fdmc010n08c.pdf pdf_icon

FDMC0310AS

www.onsemi.com FDMC010N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 51 A, 10 m Features General Description Shielded Gate MOSFET Technology This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor s advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 10 m at VGS = 10 V, ID = 16 A incorporates Shielded Gate technology. This process has been Max rDS(on) = 25 m at

Другие IGBT... FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S, GMM3x160-0055X2-SMD, FDMC7200S, GMM3x180-004X2-SMD, FDMC7200, GMM3x60-015X2-SMD, 4435, GWM100-0085X1-SL, FDMS3610S, GWM100-0085X1-SMD, FDMS3606S, GWM100-01X1-SL, FDMS3604S, GWM100-01X1-SMD, FDMS3602AS