GWM100-0085X1-SMD Todos los transistores

 

GWM100-0085X1-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM100-0085X1-SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
 

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GWM100-0085X1-SMD Datasheet (PDF)

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GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

 0.2. Size:197K  ixys
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GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

 6.1. Size:290K  ixys
 gwm100-01x1-smd.pdf pdf_icon

GWM100-0085X1-SMD

GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering

Otros transistores... GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , 18N50 , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD .

History: SIHF22N60E

 

 
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