GWM100-0085X1-SMD - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

GWM100-0085X1-SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: GWM100-0085X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 114 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1-SMD Datasheet (PDF)

0.1. Size:182K ixys
gwm100-0085x1-smd.pdf

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

0.2. Size:197K ixys
gwm100-0085x1-sl.pdf

6.1. Size:290K ixys
gwm100-01x1-smd.pdf

GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Список транзисторов

Обновления

Справочник MOSFET. GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1-SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

GWM100-0085X1-SMD Datasheet (PDF)

Список транзисторов

Обновления

AllTransistors(C)2015