GWM120-0075X1-SMD Todos los transistores

 

GWM120-0075X1-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM120-0075X1-SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
 

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GWM120-0075X1-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:292K  ixys
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GWM120-0075X1-SMD

GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin

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History: SI3403

 

 
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