GWM120-0075X1-SMD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GWM120-0075X1-SMD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Encapsulados: ISOPLUSDIL
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GWM120-0075X1-SMD datasheet
gwm120-0075x1-smd.pdf
GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TVJ = 25 C to 150 C 75 V - electric power steerin
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