GWM120-0075X1-SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: GWM120-0075X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам