Справочник MOSFET. GWM120-0075X1-SMD

 

GWM120-0075X1-SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM120-0075X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM120-0075X1-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:292K  ixys
 gwm120-0075x1-smd.pdf pdf_icon

GWM120-0075X1-SMD

GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMO099N10LGS | IPP083N10N5 | 4N70L-TF3-T | IRF6619 | ME04N25-G | STB20N65M5 | OSG65R040HT3F

 

 
Back to Top

 


 
.