GWM120-0075X1-SMD - описание и поиск аналогов

 

GWM120-0075X1-SMD - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GWM120-0075X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
 

 Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SMD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM120-0075X1-SMD технические параметры

 0.1. Size:292K  ixys
 gwm120-0075x1-smd.pdf pdf_icon

GWM120-0075X1-SMD

GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TVJ = 25 C to 150 C 75 V - electric power steerin

Другие MOSFET... GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , 2SK3568 , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD .

 

 
Back to Top

 


 
.