GWM160-0055X1-SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GWM160-0055X1-SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Encapsulados: ISOPLUSDIL
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GWM160-0055X1-SL datasheet
gwm160-0055x1-smd.pdf
GWM 160-0055X1 VDSS = 55 V Three phase full Bridge ID25 = 150 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 2.7 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 55 V - electric power steering
Otros transistores... GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , 5N60 , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T .
History: STM6970 | SP3902 | SPD65R360G | AD90N03S | NTMD5836NL | AP70T03GH-HF | WMQ30N04TS
History: STM6970 | SP3902 | SPD65R360G | AD90N03S | NTMD5836NL | AP70T03GH-HF | WMQ30N04TS
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