GWM160-0055X1-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GWM160-0055X1-SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
GWM160-0055X1-SL Datasheet (PDF)
gwm160-0055x1-smd.pdf

GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRFU2307ZPBF | FQD30N06LTM | WMK13N50D1B | SM4850NSK | 10N70G-TF1-T | RRH140P03 | NP80N04NHE
History: IRFU2307ZPBF | FQD30N06LTM | WMK13N50D1B | SM4850NSK | 10N70G-TF1-T | RRH140P03 | NP80N04NHE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333