Справочник MOSFET. GWM160-0055X1-SL

 

GWM160-0055X1-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM160-0055X1-SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
 

 Аналог (замена) для GWM160-0055X1-SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM160-0055X1-SL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:291K  ixys
 gwm160-0055x1-smd.pdf pdf_icon

GWM160-0055X1-SL

GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering

Другие MOSFET... GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , 13N50 , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T .

History: J210 | NVATS4A103PZ | FQPF18N50V2 | SFS03R06NF | SKI03036 | SIS778DN

 

 
Back to Top

 


 
.