GWM160-0055X1-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GWM160-0055X1-SMD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 55 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0033 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUSDIL

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GWM160-0055X1-SMD Datasheet (PDF)

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GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ24N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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