GWM160-0055X1-SMD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GWM160-0055X1-SMD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSDIL

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GWM160-0055X1-SMD datasheet

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GWM160-0055X1-SMD

GWM 160-0055X1 VDSS = 55 V Three phase full Bridge ID25 = 150 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 2.7 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 55 V - electric power steering

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