GWM160-0055X1-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GWM160-0055X1-SMD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
GWM160-0055X1-SMD Datasheet (PDF)
gwm160-0055x1-smd.pdf

GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering
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History: AON7422L | NTLJS3180PZTBG | SJMN670R80ZF
History: AON7422L | NTLJS3180PZTBG | SJMN670R80ZF



Liste
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MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
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