GWM160-0055X1-SMD Todos los transistores

 

GWM160-0055X1-SMD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM160-0055X1-SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
 

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GWM160-0055X1-SMD datasheet

 0.1. Size:291K  ixys
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GWM160-0055X1-SMD

GWM 160-0055X1 VDSS = 55 V Three phase full Bridge ID25 = 150 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 2.7 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 55 V - electric power steering

Otros transistores... GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , SI2302 , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P .

 

 
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