GWM160-0055X1-SMD - описание и поиск аналогов

 

GWM160-0055X1-SMD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GWM160-0055X1-SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM160-0055X1-SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM160-0055X1-SMD даташит

 0.1. Size:291K  ixys
 gwm160-0055x1-smd.pdf pdf_icon

GWM160-0055X1-SMD

GWM 160-0055X1 VDSS = 55 V Three phase full Bridge ID25 = 150 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 2.7 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 55 V - electric power steering

Другие MOSFET... GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , SI2302 , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.