Справочник MOSFET. GWM160-0055X1-SMD

 

GWM160-0055X1-SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GWM160-0055X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL

 Аналог (замена) для GWM160-0055X1-SMD

 

 

GWM160-0055X1-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:291K  ixys
 gwm160-0055x1-smd.pdf

GWM160-0055X1-SMD GWM160-0055X1-SMD

GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top