Справочник MOSFET. GWM160-0055X1-SMD

 

GWM160-0055X1-SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM160-0055X1-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM160-0055X1-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:291K  ixys
 gwm160-0055x1-smd.pdf pdf_icon

GWM160-0055X1-SMD

GWM 160-0055X1VDSS = 55 VThree phase full BridgeID25 = 150 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 2.7 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 55 V - electric power steering

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NDS336P | IRFSL3006 | NDT6N70 | IRLR2905 | IXTH24P20 | IPD50R280CE | AP04N70BI

 

 
Back to Top

 


 
.