IXFA4N100P Todos los transistores

 

IXFA4N100P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA4N100P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO263

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IXFA4N100P datasheet

 5.1. Size:142K  ixys
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IXFA4N100P

HiperFETTM VDSS = 1000V IXFA4N100Q Power MOSFETs ID25 = 4A IXFP4N100Q Q-Class RDS(on) 3.0 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V TO-220AB (IXFP) VGSS Continuous 20 V VGS

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 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFA4N100P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RG

Otros transistores... IXFA130N10T2 , IXFA14N60P , IXFA16N50P , IXFA180N10T2 , IXFA230N075T2 , IXFA230N075T2-7 , IXFA3N120 , IXFA3N80 , IRLB3034 , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 .

History: VS6412AE | IXFB170N30P

 

 

 

 

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