Справочник MOSFET. IXFA4N100P

 

IXFA4N100P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFA4N100P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXFA4N100P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA4N100P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:142K  ixys
 ixfa4n100q-trl.pdf pdf_icon

IXFA4N100P

HiperFETTM VDSS = 1000VIXFA4N100QPower MOSFETs ID25 = 4AIXFP4N100Q Q-Class RDS(on) 3.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VTO-220AB (IXFP)VGSS Continuous 20 VVGS

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFA4N100P

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

Другие MOSFET... IXFA130N10T2 , IXFA14N60P , IXFA16N50P , IXFA180N10T2 , IXFA230N075T2 , IXFA230N075T2-7 , IXFA3N120 , IXFA3N80 , 60N06 , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 .

History: AUIRF1324S | NVBF170L | PTP80N06 | SSG4502CE | YSP040N010T1A | AP3N4R5M | STB141NF55-1

 

 
Back to Top

 


 
.