IXFB100N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB100N50P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
Encapsulados: PLUS264
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IXFB100N50P datasheet
ixfb100n50p.pdf
IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30
ixfb150n65x2.pdf
Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30
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History: AUIRLSL4030
History: AUIRLSL4030
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