IXFB100N50P Todos los transistores

 

IXFB100N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB100N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
 

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IXFB100N50P datasheet

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IXFB100N50P

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30

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IXFB100N50P

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30

Otros transistores... IXFA3N80 , IXFA4N100P , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , MMIS60R580P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P .

History: RF1S22N10SM | SDF9N100JEB-D | BRCS150N12SZC

 

 
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