IXFB100N50P Todos los transistores

 

IXFB100N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB100N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 240 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.049 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB100N50P

 

IXFB100N50P Datasheet (PDF)

1.1. ixfb100n50p.pdf Size:173K _ixys

IXFB100N50P
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IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 49 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 200 ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V VGSS Continuous 30 V (TAB) G VGSM Transient 40 V D S

5.1. ixfb150n65x2.pdf Size:109K _ixys

IXFB100N50P
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Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A   RDS(on)  17m       N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 650 V G D VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous  30

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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