IXFB100N50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFB100N50P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFB100N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB100N50P даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB100N50P

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30

 9.1. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB100N50P

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30

Другие IGBT... IXFA3N80, IXFA4N100P, IXFA4N100Q, IXFA5N100P, IXFA6N120P, IXFA76N15T2, IXFA7N100P, IXFA7N80P, MMIS60R580P, IXFB100N50Q3, IXFB110N60P3, IXFB120N50P2, IXFB132N50P3, IXFB170N30P, IXFB210N20P, IXFB300N10P, IXFB30N120P