IXFB100N50P - описание и поиск аналогов

 

IXFB100N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB100N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB100N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB100N50P даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB100N50P

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuous 30

 9.1. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB100N50P

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IXFA3N80 , IXFA4N100P , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , MMIS60R580P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P .

History: 2SK1623S | VS3618AE | WSF3013 | WMJ26N65SR | CS6N60FA9H-G | WSD4050DN | BLM2301

 

 

 

 

↑ Back to Top
.