IXFB210N20P Todos los transistores

 

IXFB210N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB210N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
 

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IXFB210N20P Datasheet (PDF)

 6.1. Size:140K  ixys
 ixfb210n30p3.pdf pdf_icon

IXFB210N20P

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFB210N30P3Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VD

Otros transistores... IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , BS170 , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P .

History: NTGS4111PT | SI4435BDY | WMQ090N04LG2

 

 
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