IXFB210N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB210N20P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 210 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 255 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB210N20P

IXFB210N20P Datasheet (PDF)

2.1. ixfb210n30p3.pdf Size:140K _ixys

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A ≤ Ω RDS(on) ≤ 14.5mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ≤ trr ≤ 250ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 300 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 300 V D

Otros transistores... IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , APT50M38JFLL , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: