IXFB210N20P Todos los transistores

 

IXFB210N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB210N20P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 210 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 255 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB210N20P

 

IXFB210N20P Datasheet (PDF)

2.1. ixfb210n30p3.pdf Size:140K _ixys

IXFB210N20P
IXFB210N20P

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A ≤ Ω RDS(on) ≤ 14.5mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ≤ trr ≤ 250ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 300 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 300 V D

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


IXFB210N20P
  IXFB210N20P
  IXFB210N20P
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: INK0310AP1 | INK0302AC1 | INK021AAP1 | INK0210AP1 | INK0210AC1 | INK0200AC1 | INK011BAP1 | INK0112AU1 | INK0112AM1 | INK0112AC1 | INK0103AU1 | INK0103AM1 | INK0103AC1 | INK0102AU1 | INK0102AM1 |

 

 

 
Back to Top