Справочник MOSFET. IXFB210N20P

 

IXFB210N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB210N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB210N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB210N20P Datasheet (PDF)

 6.1. Size:140K  ixys
 ixfb210n30p3.pdf pdf_icon

IXFB210N20P

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFB210N30P3Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VD

Другие MOSFET... IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , BS170 , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P .

History: SML40B27 | CEB02N65G | MEE3716T | IPD95R1K2P7 | STD110N8F6 | 2SK3687-01MR | NP90N04MUH

 

 
Back to Top

 


 
.