IXFB210N20P - описание и поиск аналогов

 

IXFB210N20P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB210N20P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB210N20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB210N20P даташит

 6.1. Size:140K  ixys
 ixfb210n30p3.pdf pdf_icon

IXFB210N20P

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300 V D

Другие MOSFET... IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IRF730 , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P .

History: SWT69N65K2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.