IXFB38N100Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB38N100Q2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: PLUS264
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IXFB38N100Q2 datasheet
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Otros transistores... IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IRF740 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 .
History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
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