IXFB38N100Q2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IXFB38N100Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264

Другие MOSFET... IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IRF740 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 .