IXFB50N80Q2 Todos los transistores

 

IXFB50N80Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB50N80Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: PLUS264

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IXFB50N80Q2 datasheet

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IXFB50N80Q2

HiPerFETTM IXFB 50N80Q2 VDSS = 800 V Power MOSFETs ID25 = 50 A RDS(on)= 0.15 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg trr 300 ns High dV/dt, Low trr PLUS 264TM (IXFB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G (TAB) D VGS Conti

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IXFB50N80Q2

VDSS = 900V IXFB52N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 52A HiPerFETTM RDS(on) 160m trr 300ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 900 V VGSS Continuous 30 V G (TAB) D VGSM

Otros transistores... IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IRF540 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 .

History: LSC65R180GT | WMLL020N10HG4 | WM02P160R

 

 

 

 

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