Справочник MOSFET. IXFB50N80Q2

 

IXFB50N80Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB50N80Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB50N80Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB50N80Q2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  ixys
 ixfb50n80q2.pdf pdf_icon

IXFB50N80Q2

HiPerFETTMIXFB 50N80Q2 VDSS = 800 VPower MOSFETsID25 = 50 ARDS(on)= 0.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg trr 300 ns High dV/dt, Low trrPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VG(TAB)DVGS Conti

 9.1. Size:121K  ixys
 ixfb52n90p.pdf pdf_icon

IXFB50N80Q2

VDSS = 900VIXFB52N90PPolarTM Power MOSFETID25 = 52AHiPerFETTM RDS(on) 160m trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 900 VVGSS Continuous 30 VG(TAB)DVGSM

Другие MOSFET... IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IRF540N , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 .

History: STD30NF06 | STD30NF06L | NDP5060

 

 
Back to Top

 


 
.