IXFB50N80Q2 - описание и поиск аналогов

 

IXFB50N80Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB50N80Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB50N80Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB50N80Q2 даташит

 ..1. Size:558K  ixys
 ixfb50n80q2.pdf pdf_icon

IXFB50N80Q2

HiPerFETTM IXFB 50N80Q2 VDSS = 800 V Power MOSFETs ID25 = 50 A RDS(on)= 0.15 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg trr 300 ns High dV/dt, Low trr PLUS 264TM (IXFB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G (TAB) D VGS Conti

 9.1. Size:121K  ixys
 ixfb52n90p.pdf pdf_icon

IXFB50N80Q2

VDSS = 900V IXFB52N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 52A HiPerFETTM RDS(on) 160m trr 300ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 900 V VGSS Continuous 30 V G (TAB) D VGSM

Другие MOSFET... IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IRF540 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 .

History: WMM90R360S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.