IXFB70N60Q2 Todos los transistores

 

IXFB70N60Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB70N60Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
 

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IXFB70N60Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB70N60Q2

HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFB 72N55Q2Power MOSFETsID25 = 72 AQ-ClassRDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

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