IXFB70N60Q2 Todos los transistores

 

IXFB70N60Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB70N60Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: PLUS264

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IXFB70N60Q2 datasheet

 9.1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB70N60Q2

HiPerFETTM VDSS = 550 V IXFB 72N55Q2 Power MOSFETs ID25 = 72 A Q-Class RDS(on)= 72 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet PLUS 264TM (IXFB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

Otros transistores... IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IRF640 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 .

 

 

 

 

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