Справочник MOSFET. IXFB70N60Q2

 

IXFB70N60Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB70N60Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB70N60Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB70N60Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB70N60Q2

HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFB 72N55Q2Power MOSFETsID25 = 72 AQ-ClassRDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

Другие MOSFET... IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IRFP460 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 .

History: SWD7N70D | IRFH7932 | NCE70T1K2I | H5N3005LD | NTMD3P03R2G | GSM4435S | IXFK180N15P

 

 
Back to Top

 


 
.