IXFB70N60Q2 - описание и поиск аналогов

 

IXFB70N60Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB70N60Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB70N60Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB70N60Q2 даташит

 9.1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB70N60Q2

HiPerFETTM VDSS = 550 V IXFB 72N55Q2 Power MOSFETs ID25 = 72 A Q-Class RDS(on)= 72 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet PLUS 264TM (IXFB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

Другие MOSFET... IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IRF640 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 .

History: SPA22N65G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.