IXFB82N60Q3 Todos los transistores

 

IXFB82N60Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB82N60Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFB82N60Q3 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:101K  ixys
 ixfb82n60p.pdf pdf_icon

IXFB82N60Q3

IXFB 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 V(TAB)G

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFN440 | ASDM3400 | KF5N53D | PE506BA | STD5N52K3

 

 
Back to Top

 


 
.