IXFB82N60Q3 - описание и поиск аналогов

 

IXFB82N60Q3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB82N60Q3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB82N60Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB82N60Q3 даташит

 5.1. Size:101K  ixys
 ixfb82n60p.pdf pdf_icon

IXFB82N60Q3

IXFB 82N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 82 A Power MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Continuous 30 V (TAB) G

Другие MOSFET... IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IRF640N , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q , IXFC16N50P .

History: WMLL017N10HGS | TK560A60Y | IXFA102N15T | MDP18N50TH | LSC65R280HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.