IXFC10N80P Todos los transistores

 

IXFC10N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC10N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXFC10N80P datasheet

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IXFC10N80P

IXFC 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 8 A Power MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ

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IXFC10N80P

IXFC 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 10 A Power MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated ISOPLUS220TM (IXFC) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR T

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IXFC10N80P

IXFC 110N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TM trr 150 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ

Otros transistores... IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IRFP260N , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q , IXFC16N50P , IXFC16N80P .

 

 

 


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