Справочник MOSFET. IXFC10N80P

 

IXFC10N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFC10N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXFC10N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFC10N80P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:229K  ixys
 ixfc14n60p.pdf pdf_icon

IXFC10N80P

IXFC 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ

 9.2. Size:223K  ixys
 ixfc16n50p.pdf pdf_icon

IXFC10N80P

IXFC 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 10 APower MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedISOPLUS220TM (IXFC)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR T

 9.3. Size:230K  ixys
 ixfc110n10p.pdf pdf_icon

IXFC10N80P

IXFC 110N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TMtrr 150 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ

Другие MOSFET... IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , 10N60 , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q , IXFC16N50P , IXFC16N80P .

History: BRCS065N08SHRA | TPC60R150C | QM6006D

 

 
Back to Top

 


 
.