IXFC36N50P Todos los transistores

 

IXFC36N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC36N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXFC36N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFC36N50P

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

 9.1. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf pdf_icon

IXFC36N50P

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to

Otros transistores... IXFC16N50P , IXFC16N80P , IXFC20N80P , IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IRFP260 , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 .

History: MMN2302 | 2SK2441 | AP4417GH | GP1M018A020XG | SSF3615 | DMG2301LK | SSM3K04FE

 

 
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