Справочник MOSFET. IXFC36N50P

 

IXFC36N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFC36N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220

 Аналог (замена) для IXFC36N50P

 

 

IXFC36N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf

IXFC36N50P IXFC36N50P

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

 9.1. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf

IXFC36N50P IXFC36N50P

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top