IXFC80N085 Todos los transistores

 

IXFC80N085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC80N085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXFC80N085 Datasheet (PDF)

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IXFC80N085

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM MOSFETIXFC 80N08 80 V 80 A 11 mISOPLUS220TM85 V 80 A 11 mIXFC 80N085Electrically Isolated Back SurfaceN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TMVDSS TJ = 25C to 150C 80N08 80 VVDGR TJ = 25C to

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 ixfc80n10.pdf pdf_icon

IXFC80N085

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONHiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 VISOPLUS220TM ID25 = 80 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 220TMVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C;

Otros transistores... IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IRF4905 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 .

History: SPB16N50C3 | QM2417C1

 

 
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