IXFC80N085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFC80N085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS220
Аналог (замена) для IXFC80N085
IXFC80N085 Datasheet (PDF)
ixfc80n08.pdf
ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM MOSFETIXFC 80N08 80 V 80 A 11 mISOPLUS220TM85 V 80 A 11 mIXFC 80N085Electrically Isolated Back SurfaceN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TMVDSS TJ = 25C to 150C 80N08 80 VVDGR TJ = 25C to
ixfc80n10.pdf
ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONHiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 VISOPLUS220TM ID25 = 80 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 220TMVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C;
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918