IXFC80N085 - описание и поиск аналогов

 

IXFC80N085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFC80N085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXFC80N085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFC80N085 даташит

 5.1. Size:525K  ixys
 ixfc80n08.pdf pdf_icon

IXFC80N085

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N08 80 V 80 A 11 m ISOPLUS220TM 85 V 80 A 11 m IXFC 80N085 Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 80N08 80 V VDGR TJ = 25 C to

 7.1. Size:69K  ixys
 ixfc80n10.pdf pdf_icon

IXFC80N085

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 V ISOPLUS220TM ID25 = 80 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C;

Другие MOSFET... IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IRF4905 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 .

History: STM9930A | P0260ATF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.