2SK998 Todos los transistores

 

2SK998 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK998
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.035 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.35 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK998 Datasheet (PDF)

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History: BUK7Y53-100B | IRFBA1404

 

 
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