IXFH102N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFH102N15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 455 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH102N15T

IXFH102N15T Datasheet (PDF)

8.1. Size:95K ixys
ixfh100n25p.pdf

IXFH 100N25P VDSS = 250 VPolarHTTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VGVGSM

8.2. Size:570K ixys
ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

8.3. Size:568K ixys
ixfh10n100q.pdf

8.4. Size:179K ixys
ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 1

8.5. Size:144K ixys
ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETsIXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

Otros transistores... IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , HY1906P , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: