Справочник MOSFET. IXFH102N15T

 

IXFH102N15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH102N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH102N15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH102N15T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:95K  ixys
 ixfh100n25p.pdf pdf_icon

IXFH102N15T

IXFH 100N25P VDSS = 250 VPolarHTTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VGVGSM

 8.2. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 8.3. Size:568K  ixys
 ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 8.4. Size:179K  ixys
 ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf pdf_icon

IXFH102N15T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IRFZ24N , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F .

History: PH1330AL | IXTH75N10L2 | AP2864I-A-HF | RJU003N03FRA | SSF20NS60

 

 
Back to Top

 


 
.