IXFH10N100P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH10N100P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXFH10N100P MOSFET
IXFH10N100P PDF Specs
ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS... See More ⇒
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History: HM40N15K | BUZ103SL | NCE6890
History: HM40N15K | BUZ103SL | NCE6890
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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