IXFH10N100P - описание и поиск аналогов

 

IXFH10N100P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH10N100P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH10N100P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH10N100P даташит

 4.1. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH10N100P

 4.2. Size:568K  ixys
 ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH10N100P

 4.3. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH10N100P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T , AO4407 , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N100P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.