IXFH22N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFH22N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH22N50P

IXFH22N50P Datasheet (PDF)

..1. Size:312K ixys
ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf

IXFH 22N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N50P ID25 = 22 APower MOSFETIXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

6.1. Size:69K ixys
ixfh22n55.pdf

HiPerFETTM IXFH 22 N55 VDSS = 550 VPower MOSFET ID (cont) = 22 ARDS(on) = 0.27 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvlanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 550 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C22 AIDM TC =

7.1. Size:295K ixys
ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf

IXFH 22N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N60PID25 = 22 APower MOSFETsIXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

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ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

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ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: