Справочник MOSFET. IXFH22N50P

 

IXFH22N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH22N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH22N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH22N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  ixys
 ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf pdf_icon

IXFH22N50P

IXFH 22N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N50P ID25 = 22 APower MOSFETIXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 6.1. Size:69K  ixys
 ixfh22n55.pdf pdf_icon

IXFH22N50P

HiPerFETTM IXFH 22 N55 VDSS = 550 VPower MOSFET ID (cont) = 22 ARDS(on) = 0.27 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvlanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 550 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C22 AIDM TC =

 7.1. Size:295K  ixys
 ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf pdf_icon

IXFH22N50P

IXFH 22N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N60PID25 = 22 APower MOSFETsIXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 7.2. Size:336K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf pdf_icon

IXFH22N50P

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH170N10P , IXFH17N80Q , IXFH18N60P , IXFH18N90P , IXFH20N100P , IXFH20N80P , IXFH21N50F , IXFH21N50Q , IRFP064N , IXFH22N60P , IXFH22N60P3 , IXFH230N075T2 , IXFH230N10T , IXFH23N60Q , IXFH23N80Q , IXFH24N50Q , IXFH24N80P .

History: DMG10N60SCT | DMN4034SSS | PK615BM6 | APT94N65B2C3G | 19N20 | NCE65NF099

 

 
Back to Top

 


 
.