3N163 Todos los transistores

 

3N163 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N163
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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3N163 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  linear-systems
 3n163 3n164.pdf pdf_icon

3N163

3N163, 3N164P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEMOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGED SFAST SWITCHING G CaseLOW CAPACITANCE32ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)1 4@ 25C (unless otherwise noted)SDDrain-Source or Drain-Gate Voltage3N163 -40VG Case3N164 -30VTransient G-S Voltage (NOTE 1) 125VDrai

Otros transistores... 2SK997 , 2SK998 , 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , IRF9540 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 .

History: STU413S

 

 
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