3N163. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N163

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm

Тип корпуса: TO72

Аналог (замена) для 3N163

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N163 даташит

 ..1. Size:18K  linear-systems
 3n163 3n164.pdf pdf_icon

3N163

3N163, 3N164 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Linear Integrated Systems FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE D S FAST SWITCHING G Case LOW CAPACITANCE 3 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) 1 4 @ 25 C (unless otherwise noted) S D Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N163 -40V G Case 3N164 -30V Transient G-S Voltage (NOTE 1) 125V Drai

Другие IGBT... 2SK997, 2SK998, 3N124, 3N125, 3N126, 3N140, 3N141, 3N159, 2N7000, 3N164, 3N169, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, 3N187