Справочник MOSFET. 3N163

 

3N163 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N163
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
   Тип корпуса: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N163

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N163 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  linear-systems
 3n163 3n164.pdf pdf_icon

3N163

3N163, 3N164P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEMOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGED SFAST SWITCHING G CaseLOW CAPACITANCE32ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)1 4@ 25C (unless otherwise noted)SDDrain-Source or Drain-Gate Voltage3N163 -40VG Case3N164 -30VTransient G-S Voltage (NOTE 1) 125VDrai

Другие MOSFET... 2SK997 , 2SK998 , 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , IRF9540 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 .

 

 
Back to Top

 


 
.