IXFK120N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFK120N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 714 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 152 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK120N20P

IXFK120N20P Datasheet (PDF)

4.1. Size:395K ixys
ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf

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4.2. Size:1919K ixys
ixfx120n20 ixfk120n20.pdf

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 VIXFK 120N20 ID25 = 120 APower MOSFETsRDS(on) = 17 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDI

5.1. Size:123K ixys
ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

Otros transistores... IXFH80N15Q , IXFH86N30T , IXFH88N20Q , IXFH88N30P , IXFH96N15P , IXFH96N20P , IXFH9N80Q , IXFK102N30P , 75N75 , IXFK120N25 , IXFK120N25P , IXFK120N30T , IXFK140N20P , IXFK140N25T , IXFK140N30P , IXFK150N15P , IXFK15N100Q .

Liste

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