Справочник MOSFET. IXFK120N20P

 

IXFK120N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK120N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK120N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK120N20P Datasheet (PDF)

 4.1. Size:395K  ixys
 ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

 4.2. Size:1919K  ixys
 ixfx120n20 ixfk120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 VIXFK 120N20 ID25 = 120 APower MOSFETsRDS(on) = 17 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDI

 5.1. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH80N15Q , IXFH86N30T , IXFH88N20Q , IXFH88N30P , IXFH96N15P , IXFH96N20P , IXFH9N80Q , IXFK102N30P , STF13NM60N , IXFK120N25 , IXFK120N25P , IXFK120N30T , IXFK140N20P , IXFK140N25T , IXFK140N30P , IXFK150N15P , IXFK15N100Q .

History: SIHFBE30 | CS5630 | HTJ850P03 | IRFIZ48V | NCE70N1K4K | SVF3N80F | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.