IXFK120N20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFK120N20P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFK120N20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK120N20P даташит

 4.1. Size:395K  ixys
 ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

This datasheet has been downloaded from http //www.digchip.com at this page

 4.2. Size:1919K  ixys
 ixfx120n20 ixfk120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 V IXFK 120N20 ID25 = 120 A Power MOSFETs RDS(on) = 17 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V (TAB) G VGSM Transient 30 V D I

 5.1. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFK120N20P

VDSS = 250 V IXFK 120N25P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 120 A IXFX 120N25P Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V TO-264 (IXFK) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH80N15Q, IXFH86N30T, IXFH88N20Q, IXFH88N30P, IXFH96N15P, IXFH96N20P, IXFH9N80Q, IXFK102N30P, IRFP450, IXFK120N25, IXFK120N25P, IXFK120N30T, IXFK140N20P, IXFK140N25T, IXFK140N30P, IXFK150N15P, IXFK15N100Q