3N187 Todos los transistores

 

3N187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N187
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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3N187 Datasheet (PDF)

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3N187

3N187MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORDESCRIPTION:The ASI 3N187 is an N-ChannelDual-Gate Depletion Type TransistorWith Monolithic Gate ProtectionPACKAGE STYLE TO-72Diodes, used in RF,IF Amplifier andMixer Applications up to 300 MHz.MAXIMUM RATINGSI 50 mAV 20 VPDISS 330 mW @ TA = 25 OCTJ -65 OC to +175 OC1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and SubstrateT

Otros transistores... 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 8205A , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 .

History: LSH50R160HT | APTC60HM70SCTG | APTC60DDAM45CT1G | IRF7309TRPBF | 2SK3340-01 | BLF7G27LS-150P | WMB119N12LG4

 

 
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