3N187 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N187

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm

Encapsulados: TO72

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3N187 datasheet

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3N187

3N187 MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 3N187 is an N-Channel Dual-Gate Depletion Type Transistor With Monolithic Gate Protection PACKAGE STYLE TO-72 Diodes, used in RF,IF Amplifier and Mixer Applications up to 300 MHz. MAXIMUM RATINGS I 50 mA V 20 V PDISS 330 mW @ TA = 25 OC TJ -65 OC to +175 OC 1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and Substrate T

Otros transistores... 3N163, 3N164, 3N169, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, 2SK3878, 3N190, 3N191, 3N200, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204