3N187 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 3N187
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N187
3N187 Datasheet (PDF)
3n187.pdf

3N187MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORDESCRIPTION:The ASI 3N187 is an N-ChannelDual-Gate Depletion Type TransistorWith Monolithic Gate ProtectionPACKAGE STYLE TO-72Diodes, used in RF,IF Amplifier andMixer Applications up to 300 MHz.MAXIMUM RATINGSI 50 mAV 20 VPDISS 330 mW @ TA = 25 OCTJ -65 OC to +175 OC1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and SubstrateT
Другие MOSFET... 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , IRFP260 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 .
History: AP9431GH-HF | HUFA76409D3 | FDG361N | 2V7002L
History: AP9431GH-HF | HUFA76409D3 | FDG361N | 2V7002L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor