Справочник MOSFET. 3N187

 

3N187 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N187
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO72
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3N187 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:15K  advanced-semi
 3n187.pdf pdf_icon

3N187

3N187MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORDESCRIPTION:The ASI 3N187 is an N-ChannelDual-Gate Depletion Type TransistorWith Monolithic Gate ProtectionPACKAGE STYLE TO-72Diodes, used in RF,IF Amplifier andMixer Applications up to 300 MHz.MAXIMUM RATINGSI 50 mAV 20 VPDISS 330 mW @ TA = 25 OCTJ -65 OC to +175 OC1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and SubstrateT

Другие MOSFET... 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , SPP20N60C3 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 .

History: BRF4N65S | IRFF9132 | SM7302ESKP | SFW9630 | CHM4948JGP | LPM9926SOF | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.