Справочник MOSFET. 3N187

 

3N187 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N187

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 150 Ohm

Тип корпуса: TO72

Аналог (замена) для 3N187

 

 

3N187 Datasheet (PDF)

0.1. 3n187.pdf Size:15K _advanced-semi

3N187

3N187MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORDESCRIPTION:The ASI 3N187 is an N-ChannelDual-Gate Depletion Type TransistorWith Monolithic Gate ProtectionPACKAGE STYLE TO-72Diodes, used in RF,IF Amplifier andMixer Applications up to 300 MHz.MAXIMUM RATINGSI 50 mAV 20 VPDISS 330 mW @ TA = 25 OCTJ -65 OC to +175 OC1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and SubstrateT

Другие MOSFET... 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , IRFP064N , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 .

 

 
Back to Top