3N187 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N187  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm

Тип корпуса: TO72

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N187

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N187 даташит

 ..1. Size:15K  advanced-semi
 3n187.pdf pdf_icon

3N187

3N187 MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 3N187 is an N-Channel Dual-Gate Depletion Type Transistor With Monolithic Gate Protection PACKAGE STYLE TO-72 Diodes, used in RF,IF Amplifier and Mixer Applications up to 300 MHz. MAXIMUM RATINGS I 50 mA V 20 V PDISS 330 mW @ TA = 25 OC TJ -65 OC to +175 OC 1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and Substrate T

Другие IGBT... 3N163, 3N164, 3N169, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, STP75NF75, 3N190, 3N191, 3N200, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204