3N187 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 3N187. Основные параметры


   Наименование производителя: 3N187
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
   Тип корпуса: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N187

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N187 даташит

 ..1. Size:15K  advanced-semi
 3n187.pdf pdf_icon

3N187

3N187 MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 3N187 is an N-Channel Dual-Gate Depletion Type Transistor With Monolithic Gate Protection PACKAGE STYLE TO-72 Diodes, used in RF,IF Amplifier and Mixer Applications up to 300 MHz. MAXIMUM RATINGS I 50 mA V 20 V PDISS 330 mW @ TA = 25 OC TJ -65 OC to +175 OC 1 = Drain 2 = Gate #2 3 = Gate #1 4 = Source, Case, and Substrate T

Другие MOSFET... 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 2SK3878 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 .

 

 
Back to Top

 


 
.