3N191 Todos los transistores

 

3N191 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N191
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO99
 

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3N191 Datasheet (PDF)

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 3n190 3n191.pdf pdf_icon

3N191

Dual P-ChannelEnhancement Mode MOSFETCORPORATIONGeneral Purpose Amplifier3N190 / 3N191FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA = 25oC unless otherwise specified) Very High Input Impedance High Gate Breakdown 3N190-3N191 Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1) Low Capacitance 3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Otros transistores... 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 2N7002 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 .

History: OSG07N65FF | TPC8055-H | IRFL110 | MTB60N06J3 | STP24NM60N | BUK9907-55ATE | STB3N62K3

 

 
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