Справочник MOSFET. 3N191

 

3N191 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N191

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6.5 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 3 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 300 Ohm

Тип корпуса: TO99

Аналог (замена) для 3N191

 

 

3N191 Datasheet (PDF)

0.1. 3n190 3n191.pdf Size:30K _1

3N191
3N191

Dual P-ChannelEnhancement Mode MOSFETCORPORATIONGeneral Purpose Amplifier3N190 / 3N191FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA = 25oC unless otherwise specified) Very High Input Impedance High Gate Breakdown 3N190-3N191 Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1) Low Capacitance 3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Другие MOSFET... 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , IRFZ44V , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 .

 

 
Back to Top