Справочник MOSFET. 3N191

 

3N191 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N191
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: TO99
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3N191 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  1
 3n190 3n191.pdf pdf_icon

3N191

Dual P-ChannelEnhancement Mode MOSFETCORPORATIONGeneral Purpose Amplifier3N190 / 3N191FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA = 25oC unless otherwise specified) Very High Input Impedance High Gate Breakdown 3N190-3N191 Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1) Low Capacitance 3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Другие MOSFET... 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 12N60 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 .

History: IPD900P06NM | MTD06N04Q8 | F5038H | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.