3N191 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 3N191
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
Тип корпуса: TO99
Аналог (замена) для 3N191
3N191 Datasheet (PDF)
3n190 3n191.pdf

Dual P-ChannelEnhancement Mode MOSFETCORPORATIONGeneral Purpose Amplifier3N190 / 3N191FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA = 25oC unless otherwise specified) Very High Input Impedance High Gate Breakdown 3N190-3N191 Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1) Low Capacitance 3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Другие MOSFET... 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , K4145 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 .
History: 3N176
History: 3N176



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor