3N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N200

3N200 Datasheet (PDF)

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3n200.pdf

0.1. Size:201K ixys
ixth3n200p3hv ixtt3n200p3hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTT3N200P3HVPower MOSFETID25 = 3AIXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2000 VVGSS Continuous 20 VVG

Otros transistores... 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , IRFP260 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: