3N200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: TO72

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3N200 datasheet

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3N200

 0.1. Size:201K  ixys
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3N200

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 2000V IXTT3N200P3HV Power MOSFET ID25 = 3A IXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT) N-Channel Enhancement Mode G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 2000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 2000 V VGSS Continuous 20 V VG

Otros transistores... 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, 3N187, 3N190, 3N191, IRF9540N, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N209