3N200 Todos los transistores

 

3N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72
 

 Búsqueda de reemplazo de 3N200 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  no
 3n200.pdf pdf_icon

3N200

 0.1. Size:201K  ixys
 ixth3n200p3hv ixtt3n200p3hv.pdf pdf_icon

3N200

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTT3N200P3HVPower MOSFETID25 = 3AIXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2000 VVGSS Continuous 20 VVG

Otros transistores... 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , IRF1010E , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 .

History: RF1S45N06LESM | FDB3682 | BUZ901DP | RF1S22N10SM | AO3415AI-MS | FQD2N100 | FCH20N60

 

 
Back to Top

 


 
.