3N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 3N200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N200
3N200 Datasheet (PDF)
ixth3n200p3hv ixtt3n200p3hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTT3N200P3HVPower MOSFETID25 = 3AIXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2000 VVGSS Continuous 20 VVG
Другие MOSFET... 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , IRF1010E , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 .
History: SUN830F | 2N6792U | PX5D8EA | FXN5N65FM | IRFP460LC
History: SUN830F | 2N6792U | PX5D8EA | FXN5N65FM | IRFP460LC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06