3N200 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Выходная емкость (Cd): 2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
3N200 Datasheet (PDF)
0.1. ixth3n200p3hv ixtt3n200p3hv.pdf 
Size:201K _ixys
Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTT3N200P3HVPower MOSFETID25 = 3AIXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2000 VVGSS Continuous 20 VVG
0.2. 3n200.pdf Size:383K _no
Другие MOSFET... 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , IRFZ48N , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 .
