3N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 3N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO72
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам