Справочник MOSFET. 3N200

 

3N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  no
 3n200.pdf pdf_icon

3N200

 0.1. Size:201K  ixys
 ixth3n200p3hv ixtt3n200p3hv.pdf pdf_icon

3N200

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTT3N200P3HVPower MOSFETID25 = 3AIXTH3N200P3HV RDS(on) 8 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2000 VVGSS Continuous 20 VVG

Другие MOSFET... 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , IRF1010E , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 .

 

 
Back to Top

 


 
.