IXFL100N50P Todos los transistores

 

IXFL100N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFL100N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS264
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFL100N50P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFL100N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

IXFL 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 1

 9.1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFL132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 15

Otros transistores... IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , 2SK3568 , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P .

History: AOW29S50 | SVS70R360FE3 | PJE8400 | UPA1792G

 

 
Back to Top

 


 
.