IXFL100N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFL100N50P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXFL100N50P MOSFET
IXFL100N50P Datasheet (PDF)
ixfl100n50p.pdf
IXFL 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 1
ixfl132n50p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFL132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 15
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Liste
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