IXFL100N50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL100N50P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL100N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL100N50P даташит

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

IXFL 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 70 A Power MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 1

 9.1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFL132N50P3 Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS264 Fast Intrinsic Rectifier Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 15

Другие IGBT... IXFK80N15Q, IXFK80N50P, IXFK80N50Q3, IXFK80N60P3, IXFK88N20Q, IXFK88N30P, IXFK94N50P2, IXFK98N50P3, 4435, IXFL30N120P, IXFL32N120P, IXFL34N100, IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P