IXFL100N50P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFL100N50P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFL100N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264

 Аналог (замена) для IXFL100N50P

 

IXFL100N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

IXFL 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 70 A Power MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 1

 9.1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFL132N50P3 Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS264 Fast Intrinsic Rectifier Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 15

Другие MOSFET... IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , 4435 , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P .

 

 
Back to Top

 


 
.