Справочник MOSFET. IXFL100N50P

 

IXFL100N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL100N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL100N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL100N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

IXFL 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 1

 9.1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf pdf_icon

IXFL100N50P

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFL132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 15

Другие MOSFET... IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , 2SK3568 , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P .

History: DM8N65C

 

 
Back to Top

 


 
.